Nikonアプリケーションスペシャリストである担当教員が、SiCやGaNと

いった次世代パワー半導体向けの材料の内部に潜む欠陥や不純物分布を

非破壊かつ3Dで観察できる「MPPL法」という技術紹介を行います。

第３回目は、「多光子顕微鏡システムの半導体への応用」という内容で下記の通り開催します。

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日程：2024年10月15日(水)

時間：10:00～17:00 (12:00～13:00休憩)

担当：名古屋大学未来社会創造機構

　　　名古屋市量子産業創出寄附研究部門　鶴旨篤司 特任准教授

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